是什么导致了 CdTe 的高电阻率
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
CdTe 可以通过浅施主掺杂制成半绝缘态。这是 CdTe 基辐射探测器获得高电阻率的常规做法。然而，人们普遍认为 CdTe 中的高电阻率是由于本征深施主导致的费米能级钉扎。基于浅施主补偿本征受主的模型曾被摒弃，其假设是实际上不可能如此精确地控制浅施主掺杂水平，以至于将自由载流子密度降低到适合辐射探测应用所需的期望值以下。在本文中，我们展示了关于 CdTe 中浅施主和本征缺陷的载流子统计和能量学的计算结果。我们的结果表明，浅施主可用于可靠地获得 CdTe 的高电阻率。由于辐射探测应用既需要高电阻率又需要良好的载流子输运，因此通常应使用浅施主和浅受主进行载流子补偿，并避免使用作为有效载流子陷阱的深能级中心。
引用
@article{arxiv.1202.2255,
title = {What Causes High Resistivity in CdTe},
author = {Koushik Biswas and Mao-Hua Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.2255},
year = {2015}
}