Ag过量掺杂PbTe热电材料中引起异常n型电导率的缺陷
材料科学
2015-07-03 v1
摘要
我们发现Ag间隙()充当电子施主，并在Ag过量掺杂的多晶PbTe热电材料中起重要作用。当Ag重掺杂于PbTe时，在Pb位形成中性(Ag-Ag)二聚体缺陷，环境变为富Pb/贫Te条件。随后，在正电离的Ag间隙()缺陷在富Pb条件下成为主要缺陷。由于的形成能小且扩散势垒小，Ag可轻易溶入PbTe基体。Ag缺陷形成能的温度行为很好地解释了Ag过量掺杂多晶PbTe在高温下的溶解度、电子载流子产生以及增大的电导率。这种通过形成间隙缺陷的异常掺杂行为也在Au掺杂PbTe中发现。
引用
@article{arxiv.1506.01584,
title = {Defects responsible for abnormal n-type conductivity in Ag-excess doped PbTe thermoelectrics},
author = {Byungki Ryu and Min-Wook Oh and Jae Ki Lee and Ji Eun Lee and Sung-Jae Joo and Bong-Seo Kim and Bog-Ki Min and Hee-Woong Lee and Su-Dong Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01584},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 4 figures