磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响
介观与纳米尺度物理
2011-08-10 v1
摘要
采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法，研究了磷掺杂单壁碳纳米管（PSWCNT）。计算了其形成能、总能量、能带结构、几何结构及态密度。研究发现，磷掺杂单壁碳纳米管的形成能随直径增大而增加；相同直径下，碳纳米管的总能量随掺杂率升高而降低。讨论了杂质位置对杂质能级的影响，表明杂质能级的位置可能取决于C-P-C键角。根据上述结果，在单壁碳纳米管中用磷原子替代一个碳原子是可行的。研究还发现，磷掺杂碳纳米管为N型半导体。
引用
@article{arxiv.1108.1952,
title = {Effects of phosphorus-doping upon the electronic structures of single wall carbon nanotubes},
author = {AQing Chen and QingYi Shao and ZhiCheng Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.1952},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 6 figures, 2 tables