基于可扩展合金的高导电性 PdCoO$_2$溅射制备用于先进互连器件
材料科学
2025-05-21 v1 强关联电子
摘要
随着集成电路的不断缩小，由于传统铜基互连器件的电阻率不断上升，寻找新型金属材料变得越来越重要。层状氧化物 PdCoO 是一种潜在的互连器件材料，具有超过元素 Al 的 bulk ab 面导电性。尽管其前景广阔，但迄今尚未报道大面积真空沉积 PdCoO 的方法。本研究成功采用从 Pd-Co 合金靶材的反应性溅射法实现了 c 轴取向 PdCoO 薄膜的可扩展生长。该方法为在半导体器件中利用 PdCoO 的独特特性提供了可能。
引用
@article{arxiv.2505.14094,
title = {Scalable alloy-based sputtering of high-conductivity PdCoO$_2$ for advanced interconnects},
author = {Takayuki Harada and Zuin Ping Lily Ang and Yuki Sakakibara and Takuro Nagai and Yasushi Masahiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.14094},
year = {2025}
}
备注
The following article has been accepted by Applied Physics Letters