耦合于金属-半导体混合接触的量子杂质中的重入近藤效应

利用数值重整化群（NRG），我们证明一个包含量子杂质（QI）、强耦合于半导体（能隙 $2 \Delta$）且弱耦合于金属的系统，在低温下呈现“重入”近藤阶段。对相应单杂质安德森模型（SIAM）的 NRG 分析表明，该重入阶段的特征在于第二序列的 SIAM 不动点：自由轨道（FO）>局域矩（LM）>强耦合（SC）。在第一阶段，SC 不动点（近藤温度 $T_{K1}$）不稳定，而第二阶段呈现低得多的近藤温度 $T_{K2}$，对应于一个稳定的 SC 不动点。结果表明，重入近藤屏蔽关联于一个有效 SIAM，具有有效排斥能 $U_{eff}$。这一低温有效 SIAM，我们称之为“重入”SIAM，表现为高温（裸）SIAM 的“复本”。由此浮现的直观图像是：第一近藤态通过半导体电子对杂质的屏蔽而发展，而第二近藤态涉及金属电子的屏蔽，一旦半导体电子因热激发不可及（$T < \Delta$）且仅有能隙内的金属谱权重可用于杂质屏蔽时。此外，我们分析了一个由夹在扶手椅型石墨烯纳米带（AGNR）与扫描隧道显微镜（STM）针尖之间的 QI 构成的混合系统，其各自耦合被设定以重现上述通用模型。AGNR 中的能隙可由电场诱导的 Rashba 自旋轨道相互作用从外部调控。我们使用 NRG 针对现实参数值分析了该系统，并得出结论：重入 SIAM 及其关联的第二阶段近藤值得实验研究。