确定两种阶段 Kondo 规律的有效模型：数值重整�群结果

金属中的复合杂质可以探索不同的配置，其中其净磁矩可能被宿主电子所屏蔽。一个例子是两种阶段 Kondo (TSK) 系统，其中屏蔽在依次较小的能量尺度上发生。或者，杂质可能偏好局部铜对，与金属断开连接。这一竞争受制于系统的耦合。一种双量子点 T 形几何结构，其中一个 "悬挂" 点仅通过另一个点连接到电流 leads，允许实验探索这些规律。区分这两种规律一直具有具有挑战性。本研究提供了一种识别此几何结构中 TSK 规律的方法。TSK 规律需要在间隙耦合 ($t_{01}$) 和连接到费米海的量子点耦合 ($\Gamma_0$) 之间达到平衡。超过某个比值后，系统会过渡到分子规律，形成局部铜对，无 Kondo 屏蔽。该研究在 $t_{01}$--$\Gamma_0$ 参数空间中识别了一个纯 TSK 规律发生的区域。此处，第二个 Kondo 阶段的性质可由单个杂质 Anderson 模型带有效参数来描述。通过 examining 挂起量子点的磁响应，可用单个参数 $\Gamma_{\rm eff}$ 准确模拟该响应。该有效模型还能在有限参数范围内准确预测挂起量子点的谱函数，从而定义真正的 TSK 规律。此外，量子点之间的自旋关联在此参数范围内显示出普适行为。这些发现可指导实验团队选择参数值，将系统置于 TSK 规律或向分子规律的交叉处。