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双通道 Kondo 模型的纠缠结构

强关联电子 2016-02-24 v2 量子物理

摘要

如在双通道 Kondo 模型中那样,两个竞争屏蔽单个杂质自旋的电子通道预期会产生具有非平凡纠缠结构的基态。我们利用双通道 Kondo 模型的自旋链表示,借助密度矩阵重整化群方法探测基态块熵、negativity、tangle 和 Schmidt 间隙。在对称耦合两通道的情况下,我们证实了场论对紫外与红外极限间边界熵差 ln(gUV/gIR)=ln(2)/2\ln (g_{UV}/g_{IR})=\ln(2)/2 以及块熵的主导 ln(x)/x\ln(x)/x 杂质修正的预测。杂质纠缠 SimpS_{\text{imp}} 被证明随特征长度 ξ2CK\xi_{2CK} 标度。我们表明,Schmidt 间隙以及杂质与其中一个通道的纠缠——由 negativity 度量——忠实地充当了作为通道不对称性函数的杂质量子相变的序参数,从而可以明确确定临界指数 ν ⁣ ⁣2\nu\!\approx\! 2β ⁣ ⁣0.2\beta\!\approx\! 0.2。值得注意的是,我们发现三方纠缠仅在临界通道对称点附近出现。

关键词

引用

@article{arxiv.1509.02949,
  title  = {Entanglement structure of the two-channel Kondo model},
  author = {Bedoor Alkurtass and Abolfazl Bayat and Ian Affleck and Sougato Bose and Henrik Johannesson and Pasquale Sodano and Erik S. Sørensen and Karyn Le Hur},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1509.02949},
  year   = {2016}
}

备注

5 pages + 2 pages of supplemental material