近藤模型中杂质与传导自旋的纠缠

基于Yosida的单杂质近藤哈密顿量基态，我们研究了杂质与传导电子自旋之间的三种纠缠。首先，表明杂质自旋与所有传导电子最大纠缠。其次，杂质自旋与一个传导电子自旋的二自旋密度矩阵由Werner态给出。我们发现即使在近藤屏蔽长度$\xi_K$内，杂质自旋与一个传导电子自旋也不纠缠，尽管二者间存在自旋-自旋关联。第三，我们表明二传导电子自旋的密度矩阵几乎与自由电子气相同。与电阻的剧烈变化相反，单杂质并未改变传导电子的纠缠结构。