GaAs 中多载流子束缚激子的辐射特性
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 其他凝聚态物理
摘要
半导体中的激子由于自旋依赖的振子强度以及不同复合路径之间的干涉，可能具有多重寿命。此外，应变和对称性效应可以通过消除简并性进一步改变寿命。我们提出了一种便捷的形式体系，用于预测不同对称性环境中具有任意数量载流子的 激子的光学性质。利用该形式体系，我们预测了 GaAs 中中性受主束缚激子的三种不同寿命，并通过偏振依赖和时间分辨光致发光实验证实了这一预测。我们发现受主束缚激子的寿命为 ，其中 。此外，我们还提供了层内和层间激子自旋弛豫率的估计值。
引用
@article{arxiv.1411.1317,
title = {Radiative properties of multi-carrier bound excitons in GaAs},
author = {Todd Karin and Russell Barbour and Charles Santori and Yoshihisa Yamamoto and Yoshiro Hirayama and Kai-Mei C. Fu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.1317},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures, supplemental information included