具有可调带隙的四元二维过渡金属二硫族化合物
材料科学
2017-05-04 v1
摘要
二维材料中的合金化/掺杂因其宽范围的带隙可调性而重要。增加组分数量将增加自由度，从而在调节带隙方面提供更大的灵活性，并降低生长温度。本文报道利用化学气相沉积合成四元合金 Mo_x W_{1-x} S_{2y} Se_{2(1-y)}。通过改变生长温度调节合金组分。结果带隙可在 1.73 eV 至 1.84 eV 之间调节。详细的理论计算支持实验观测，并显示出宽范围带隙可调的可能性。
引用
@article{arxiv.1705.01245,
title = {Quaternary two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) with tunable bandgap},
author = {Sandhya Susarla and Alex Kutana and Jordan A. Hachtel and Vidya Kochat and Amey Apte and Robert Vajtai and Juan Carlos Idrobo and Boris I. Yakobson and Chandra Sekhar Tiwary and Pulickel M Ajayan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.01245},
year = {2017}
}