具有涌现量子态的 MoxW1-xTe2 原子层的可控合成
材料科学
2021-07-21 v1
摘要
近来，在过渡金属二硫属化物 (TMDs) 中发现了超导或拓扑量子态等新的物质态，并表现为一系列奇异物理行为。此类现象已证实存在于包括 MoTe2、WTe2 及合金 MoxW1-xTe2 在内的一系列过渡金属碲化物中。然而，尽管该合金提供了调控量子态的极佳平台，但由于难以获得组分可控的原子层，合金体系中的行为鲜有研究。本文报道一种简便的 CVD 方法，可合成厚度与化学组分比可控的 MoxW1-xTe2。单层 MoxW1-xTe2 合金的原子结构经扫描透射电子显微镜 (STEM) 实验确认。重要的是，在富 Mo 的 Mo0.8W0.2Te2 与富 W 的 Mo0.2W0.8Te2 样品中分别观察到超导与 Weyl 半金属 (WSM) 态这两种不同的输运行为。我们的结果表明 MoxW1-xTe2 的电学性质可通过控制化学组分调控，证明我们的可控 CVD 生长方法是操纵 TMDCs 物理性质的有效策略。同时，这为进一步理解并设计基于拓扑多组分 TMDCs 材料的器件提供了视角。
引用
@article{arxiv.2107.09482,
title = {Controlled synthesis of MoxW1-xTe2 atomic layers with emergent quantum states},
author = {Ya Deng and Peiling Li and Chao Zhu and Jiadong Zhou and Xiaowei Wang and Jian Cui and Xue Yang and Li Tao and Qingsheng Zeng and Ruihuan Duan and Qundong Fu and Chao Zhu and Jianbin Xu and Fanming Qu and Changli Yang and Xiunian Jing and Li Lu and Guangtong Liu and Zheng Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.09482},
year = {2021}
}