工业级 $^{28}$Si/$^{28}$SiO$_2$ 的量子输运性质
介观与纳米尺度物理
2019-07-17 v2
摘要
我们研究了在工业 CMOS 晶圆厂中沉积于 300 mm Si 晶圆上的同位素富集 Si/SiO 堆叠的结构与量子输运性质。获得了同位素纯度大于 99.92% 的高度均匀薄膜。在学术洁净室中制造了等效氧化物厚度为 17 nm 的霍尔条晶体管。在 1.7 K 温度下测得导电临界密度为 cm,峰值迁移率为 9800 cm/Vs。Si/SiO 界面的粗糙度为 nm,相关长度为 nm。在 9.5 MV/m 的有效电场下,估算出谷分裂能量的上限为 480 eV。这些结果支持使用晶圆级 Si/SiO 作为制造工业自旋量子位的有前景的材料平台。
引用
@article{arxiv.1810.06521,
title = {Quantum transport properties of industrial $^{28}$Si/$^{28}$SiO$_2$},
author = {D. Sabbagh and N. Thomas and J. Torres and R. Pillarisetty and P. Amin and H. C. George and K. Singh and A. Budrevich and M. Robinson and D. Merrill and L. Ross and J. Roberts and L. Lampert and L. Massa and S. Amitonov and J. Boter and G. Droulers and H. G. J. Eenink and M. van Hezel and D. Donelson and M. Veldhorst and L. M. K. Vandersypen and J. S. Clarke and G. Scappucci},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.06521},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 3 figures