基于Chern绝缘体手性激子光学响应探测量子几何
介观与纳米尺度物理
2025-03-18 v2 材料科学
强关联电子
摘要
我们从理论上推导了考虑激子效应的吸收光导率负第一矩求和规则,并建立了其与量子权重 和 Chern数 的 ground state 之间的联系。应用这一框架,我们研究了在扭曲双层MoTe 孔填充因子为 时的Chern绝缘体的激子光学响应。单一手性激子态支配了光学求和规则,它选择性地吸收特定手性的圆偏振光。该手性激子态由两种层间电子-空穴跃迁组成,这些跃迁抵消了总体垂直偶极矩。吸收光谱显示近乎完美的磁圆二色性,这可归因于该Chern绝缘体在研究中的 接近饱和。我们的工作说明了利用激子光学响应来探测Chern绝缘体中由 和 编码的量子几何的潜力。
引用
@article{arxiv.2407.03317,
title = {Quantum Geometry Probed by Chiral Excitonic Optical Response of Chern Insulators},
author = {Wen-Xuan Qiu and Fengcheng Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.03317},
year = {2025}
}
备注
7+10 pages,4+7 figures