磁性Rashba半导体(Ge,Mn)Te低能线性和非线性光学响应中的量子几何
材料科学
2026-03-12 v1
摘要
量子几何是理解量子材料光学性质的关键因素，预计在狄拉克点和外尔点附近会出现发散或量子化的响应。本文研究了磁性Rashba半导体在中红外区域的线性和非线性光学响应——光导率和注入电流，并让费米能级穿过狄拉克点变化。我们揭示了线性光导率反映了量子度规，尽管在较低光子能量下联合态密度减小，该度规仍保持有限。研究还证实，磁性注入电流会根据费米能级相对于狄拉克点的能量而增强。这些光谱被我们考虑了几何效应的理论计算很好地再现。
引用
@article{arxiv.2508.18818,
title = {Quantum geometry in low-energy linear and nonlinear optical responses of magnetic Rashba semiconductor (Ge,Mn)Te},
author = {Tsubasa Takagi and Hikaru Watanabe and Ryutaro Yoshimi and Yuki Sato and Shingo Toyoda and Atsushi Tsukazaki and Kei S. Takahashi and Masashi Kawasaki and Yoshinori Tokura and Naoki Ogawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.18818},
year = {2026}
}