二次触点半导体体的量子几何引导下的普适光学导电性

探索固体量子几何属性（超越拓扑属性）已成为当前固态物理研究的关键焦点。我们从量子度张量推导了光学导电性的几何公式，可适用于低能态。该通用公式还取决于能带色散的具体形状，除量子波函数的几何属性外。我们展示，对于二次触点（QBT）半导体体，光学导电性在光频率超过临界阈值后简化为$\sigma = (e^2/8\hbar)d^2_\mathrm{max}$，其中$d_\mathrm{max}$表示围绕能带交叉点的最大Hilbert-Schmidt量子距离。这一结果表明，QBT半导体体的光学导电性是普适的，完全由量子几何决定，独立于能带结构的其他细节。此外，在时反演和旋转对称性下，$d_\mathrm{max}$受限于离散值为0或1，导致量子几何普适光学导电性的离散化。通过第一性原理计算，我们展示我们的发现适用于实际材料，包括双层石墨烯、Pd$_3$P$_2$S$_8$以及其他现实材料候选者。我们的工作凸显了量子几何在支配光学性质中的关键作用，这可以通过标准光学方法进行探测。