节平面的量子几何与低频光学电导率

节平面是二维对称强制能带交叉，可以携带拓扑荷，类似于外尔点。虽然外尔点的输运性质已被充分理解，但节平面的输运性质在很大程度上仍未被探索。这些性质不仅受 Berry 曲率影响，还受其他量子几何量的影响。在本工作中，我们研究了拓扑节平面的量子几何——特别是 Berry 曲率和量子度规——及其线性光学电导率。我们引入了一个低能模型，并研究了其低频光学响应，以确定节平面的独特特征。通过将这些发现与具有拓扑节平面的紧束缚模型中的光学响应进行比较，我们观察到符合三次幂律的一致低频行为。这为通过光学电导率测量对节平面进行实验探测铺平了道路，为此我们建议了合适的材料，其中最有前景的是材料族 $X$Mo$_3$S$_3$（$X$ = Rb, K, Cs）。