利用 MRI 模型对 GaAs 中 AlAs 双层结构的 AES 与 SIMS 深度剖析的定量比较
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过比较 SIMS 和 AES 深度剖析，展示了所谓混合-粗糙度-信息深度 (MRI) 模型在成分深度分布定量重建中的应用。一个由 44 ML GaAs 基质隔开的两层 AlAs（1 ML 和 36 ML）组成的 GaAs/AlAs 参考样品在几乎相同的溅射条件下进行了深度剖析：3 keV 碰撞能量的 Ar+ 离子，以及 52 度（SIMS: CAMECA 4f）和 58 度（AES: VG Microlab 310F）的入射角。SIMS 剖析的 Al+ 强度和 AES 剖析的 Al (LVV) 强度均通过用 MRI 模型计算的剖面拟合测量剖面进行定量，得到相同的 3.0 +/- 0.3 nm 混合长度，相似的粗糙度参数（1.4-2 nm），以及可忽略的信息深度（0.4 nm）。尽管在 AES 剖析和 SIMS 剖析的 Al+ 中几乎没有观察到基体效应，但使用二聚体 (Al2+) 和三聚体 (Al3+) 离子进行的定量显示出浓度与强度之间的显著非线性，其主要效应由团簇离子形成的简单质量作用定律概率引起。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104434,
title = {Quantitative Comparison between AES and SIMS Depth Profiles of a Double Layer Structure of AlAs in GaAs Using the MRI-model},
author = {S. Hofmann and A. Rar and D. W. Moon and K. Yoshihara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104434},
year = {2007}
}
备注
10 pages, presented at AVS Symposium 10/2000 in Boston,USA