薄膜氧化物系统的相分析：基于 AES 和 EELS

V. G. Beshenkov; V. A. Marchenko; V. T. Volkov; A. G. Znamenskii

薄膜氧化物系统的相分析：基于 AES 和 EELS

材料科学 2007-05-23 v1

作者: V. G. Beshenkov , V. A. Marchenko , V. T. Volkov , A. G. Znamenskii

摘要

将 Auger 电子光谱 (AES) 和反射模式下电子能量损失光谱 (EELS) 与用于薄膜氧化物系统离子剖面相组成调查的方法进行比较。以 Al/Al2O3/Si 和 YBa2Cu3O7/CeO2/Al2O3 系统为例。讨论了应用于 AES 和 EELS 数据处理的统计学方法的适应性。

关键词

Auger 电子光谱电子能量损失光谱薄膜氧化物相组成离子剖面

引用

@article{arxiv.cond-mat/9812411,
  title  = {Phase Analysis of Thin Film Oxide Systems by AES and EELS},
  author = {V. G. Beshenkov and V. A. Marchenko and V. T. Volkov and A. G. Znamenskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812411},
  year   = {2007}
}

备注

8 pages LaTex, 16 figures PostScript

相关论文

查看更多相关论文 →