探测栅极定义一维电子系统中的应变调制

半导体上的栅极图形化被常规用于以静电方式将电子运动限制至低维。在大多数研究进行的低温下，图形化栅极与半导体之间的差热收缩常导致明显的应变调制。这种调制应变对埋于半导体中导电通道的影响早已被认识，但测量其大小与变化却相当具有挑战性。在此，我们提出一种方法，通过施加电阻探测核磁共振（RDNMR）并利用与原四极核耦合的原位电子，来测量栅极定义的基于 GaAs 的一维通道中的该调制。由四极分裂共振推得的探测应变大小在空间上以 $10^{-4}$ 量级变化，这与基于弹性应变模型的预测变化一致。我们估计在界面处产生的初始横向应变 $\epsilon_{xx}$ 约为 $3.5 \times 10^{-3}$。