保持拓扑表面态：Bi2Se3 上的 FePc
介观与纳米尺度物理
2017-09-20 v1
摘要
在超高真空中，于 77 K 下利用扫描隧道显微镜（STM）和扫描隧道光谱（STS）研究了拓扑绝缘体表面 Bi2Se3 上的铁酞菁分子。亚分子级分辨率的 STM 图像以 Bi2Se3 表面顶层 Se 原子为参考，提供了分子吸附位点的原子级配准信息，即顶位或桥位。STS 数据揭示了 FePc 分子的 HOMO 和 LUMO 轨道相对于特定结合位点的轻微偏移。在靠近费米能级处，STS 测量表明沉积 FePc 分子后 Bi2Se3 的 Dirac 点保持不变。这表明拓扑绝缘体表面态受到了保护。我们推测，尽管 Fe 原子具有磁性，但 Pc 环中与 Fe 相连的配体影响了分子吸附在 Bi2Se3 基底上时的磁性行为。我们的工作提供了一个范例，以推进利用不同分子调控 TISS 界面的战略平台，并设计具有受时间反演对称性保护的磁结构的表面和界面。
引用
@article{arxiv.1709.06277,
title = {Preserving the topological surface state: FePc on Bi2Se3},
author = {Rejaul Sk and Imrankhan Mulani and Aparna Deshpande},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.06277},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 4 figures