SiC 功率 MOSFET 栅氧退化的前兆
综合物理
2018-02-23 v1
摘要
在碳化硅(SiC) MOSFET 中，栅氧退化比硅(Si) MOSFET 更为关键。这是因为 SiC MOSFET 中栅氧厚度更小且跨栅氧发展的电场更高。虽然已确定多种用于监测 Si MOSFET 栅氧退化的前兆，但针对 SiC MOSFET 的前兆很少。本文旨在证明 Si MOSFET 中使用的栅氧退化前兆：a) 阈值电压，b) 栅极平台电压，c) 栅极平台时间，也可作为 SiC MOSFET 的前兆。此外，发现这三种前兆在应力期间均呈现同步上升趋势，导致 SiC MOSFET 的导通损耗、开关损耗和开关时间增加。现有的 SiC MOSFET 栅氧退化机制及其对阈值电压和迁移率影响的研究被拓展，通过解析表达式关联所有三种前兆的变化。通过在商用 SiC MOSFET 样品中诱导栅氧退化，实验证实了前兆的上升趋势。
引用
@article{arxiv.1802.08085,
title = {Precursors of gate oxide degradation in SiC power MOSFETs},
author = {Ujjwal Karki and Fang Zheng Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.08085},
year = {2018}
}