高迁移率Ge衬底上生长的稀土氧化物栅堆叠介电退化
材料科学
2012-11-26 v2 物理与社会
摘要
我们报道了在高迁移率Ge衬底上，当稀土氧化物（REOs）作为界面缓冲层与HfO2高k薄膜（REOs/HfO2）一起使用时，其介电退化现象。具有这些堆叠的金属-氧化物-半导体（MOS）器件在变化的恒压应力（CVS）条件下表现出不同的电荷俘获现象，这也影响了测量的界面陷阱（Nit）和边界陷阱（NBT）密度。在本研究中，我们还报告了与Nit和NBT相关的C-Vg滞后曲线。我们还提出了一种基于Maxwell-Wagner不稳定性机制的新模型，该模型解释了在高迁移率衬底上生长的栅堆叠器件在从低场到高场的CVS偏压下的介电退化（电流衰减瞬态行为），这与用于其他MOS器件的模型不同。最后，相应器件的时间相关退化揭示了初始电流衰减（由于弛豫），随后是电荷俘获和应力诱导漏电的产生，最终在长时间CVS应力后导致硬击穿。
引用
@article{arxiv.1206.1887,
title = {Gate Stack Dielectric Degradation of Rare-Earth Oxides Grown on High Mobility Ge Substrates},
author = {Md. Shahinur Rahman and Evangelos K. Evangelou and Nikos Konofaos and A. Dimoulas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.1887},
year = {2012}
}
备注
19pages (double space), 7 figures, original research article, Submitted to JAP (AIP)