锗基MOS器件中HfO2/Dy2O3栅叠层的介电弛豫与电荷俘获特性研究
材料科学
2011-07-26 v1
摘要
在本工作中，我们研究了在Ge衬底上生长的HfO2/Dy2O3栅叠层的介电弛豫效应和电荷俘获特性。MOS器件在积累区承受了恒定电压应力（CVS）条件，并在整个施加应力电压范围内表现出弛豫效应。我们研究了施加电压极性以及厚度对弛豫效应的依赖性。在低应力场下电荷俘获可忽略不计，而在较高场强（>4MV/cm）下则变得显著。此外，我们给出了实验证据，表明与介电弛豫效应协同作用的另一种机制——所谓的Maxwell-Wagner不稳定性——存在并影响CVS脉冲施加期间的瞬态电流。还发现这种不稳定性具有场依赖性，从而导致俘获电荷在低应力场下为负，但在较高场强下变为正。
引用
@article{arxiv.1107.4874,
title = {Dielectric relaxation and Charge trapping characteristics study in Germanium based MOS devices with HfO2 /Dy2O3 gate stacks},
author = {M. Shahinur Rahman and E . K. Evangelou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4874},
year = {2011}
}
备注
27pages, 10 figures, 3 tables, regular journal contribution (accepted in IEEE TED, Vol.50, issue 10)