点缺陷对 3C-SiC 氧化的影响
材料科学
2021-04-01 v1
摘要
通过分子动力学模拟研究了注入诱导点缺陷（PDs）对 SiC 氧化的影响。PDs 通常提高晶粒的氧化速率。特别地，由 Si 反位与空位引起的加速相当，其次为 Si 间隙原子，其高于 C 反位与 C 间隙原子所引起的加速。然而，在晶界（GB）区域，缺陷对氧化的贡献更为复杂，C 反位使氧化减速。其潜在原因是沿氧扩散路径形成了富 C 区，阻断了 O 对 Si 的接近，从而相较于无缺陷晶界处的氧化降低了氧化速率。
引用
@article{arxiv.2103.16742,
title = {Effects of point defects on oxidation of 3C-SiC},
author = {Jianqi Xi and Cheng Liu and Izabela Szlufarska},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.16742},
year = {2021}
}