衬底中相关带电杂质引起的石墨烯电势涨落
材料科学
2013-10-25 v1 统计力学
摘要
我们评估了掺杂石墨烯中由于附近带电杂质引起的静电势的自相关函数。这些杂质的屏蔽由随机相位近似下的石墨烯极化函数与周围介电质的静电格林函数的组合来描述。采用二维杂质分布的硬圆盘模型，我们表明杂质间较大的关联长度会导致静电势中的反关联，这与最近的实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1310.4881,
title = {Potential fluctuations in graphene due to correlated charged impurities in substrate},
author = {Rastko Anicic and Zoran Miskovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.4881},
year = {2013}
}
备注
To be published in to Applied Physics Letters