来自类时形状因子数据的π介子横向电荷密度

π介子中的横向电荷密度可以表示为类时区域中π介子形状因子虚部的色散积分。该公式整合了e+e-湮没实验的信息，并且允许比仅使用类空π介子形状因子数据更准确地重建横向密度。我们使用类时π介子形状因子的经验参数化计算了横向密度，并估计在距离b ~ 0.1 fm处，其确定精度约为10%，在更大距离处精度显著提高。发现该密度在很大范围内接近于从零宽度ρ介子极点获得的密度，并在小距离处显示出明显的上升。由此得到的快速运动π介子的二维图像可以用QCD中的部分子结构来解释。我们认为，电荷密度在中心处的奇异行为要求π介子的部分子波函数中大量存在点状构型，这可以在其他高动量转移过程中进行探测。