刻蚀 InAs 侧壁中边缘态的钝化
介观与纳米尺度物理
2017-08-24 v2
摘要
我们研究了湿法刻蚀 InAs 异质结构侧壁的不同钝化方法，以抑制固有的边缘电导，这种电导被认为是由于表面能带弯曲导致电荷载流子积累而产生的。包括硫、带正电的补偿掺杂剂以及等离子体增强化学气相沉积 在内的钝化技术均未显示出改善。令人惊讶的是， 的原子层沉积使边缘电阻率增加了一个数量级以上。虽然这一变化背后的机制尚未完全明了，但我们提出了可能的原因。
引用
@article{arxiv.1706.01704,
title = {Passivation of Edge States in Etched InAs Sidewalls},
author = {Christopher Mittag and Matija Karalic and Susanne Müller and Thomas Tschirky and Werner Wegscheider and Olga Nazarenko and Maksym V. Kovalenko and Thomas Ihn and Klaus Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.01704},
year = {2017}
}