Si:B 导电率的一参数缩放：温度无关的变量范围跳跃前置因子

对于掺杂浓度从 0.75 n_c 到临界浓度 n_c 的绝缘 Si:B，导电率的数值跨越五个数量级后，可使用单个缩放参数 T* 归约至统一曲线，形式为 $\sigma (T) =\sigma_0 f (T^*/T)$，其中温度无关的前置因子约为 Mott 最小金属导电率的数量级。函数 $f (T^*/T) = e^{-(T^*/T)^{\beta}}$ 在 T^*/T>10 时，指数 $\beta = 1/2$，对应于 Efros-Shklovskii 变量范围跳跃；当 T^*/T < 8 时，指数 $\beta = 1/3$，符合二维 Mott 变量范围跳跃的预期值。该温度无关的前置因子表明跳跃过程不依赖声子中介。