面向地球大气环境的 UMOSFET 漏洞性研究
应用物理
2025-06-03 v1
摘要
本文讨论了主流硅基 U 形金属氧化物半导体场效应管臼 (UMOSFET) 在地球大气环境下因辐射而导致的破坏性效应。已知，来自大气中中子与电子器件构成材料之间的核反应产生的次级粒子可触发功率 MOS 管臼的单事件熔断 (SEB) 破坏性失效。比较了 UMOSFET 因大气中子在加速试验中诱发的 SEB 易感性与同等规格传统双扩散管臼 (DMOSFET) 的对比。进行计算模拟，以阐明失效机制并提出可能增强下一代在高可靠度地球上电力系统中 UMOSFET 存活性的策略。
引用
@article{arxiv.2502.13041,
title = {On the Vulnerability of UMOSFETs in Terrestrial Radiation Environments},
author = {Saulo G. Alberton and Alexis C. V. Bôas and Jeffery Wyss and Vitor A. P. Aguiar and Matheus S. Pereira and Luca Silvestrin and Serena Mattiazzo and Alessandro Paccagnella and Carlo Cazzaniga and Maria Kastriotou and Christopher Frost and Nilberto H. Medina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.13041},
year = {2025}
}
备注
07 pages, 11 figures