辐射与磁场效应对用于 HL-LHC 实验的新型半导体功率器件的影响
仪器与探测器
2017-08-23 v1 高能物理 - 实验
摘要
本文介绍了商用碳化硅和氮化镓功率 MOSFET 在伽马射线、中子、质子和重离子照射下的总电离剂量效应和单粒子效应的抗辐射性能。文中还讨论了商用 DC-DC 转换器的类似测试，这些转换器也在磁场作用下进行了运行测试。
引用
@article{arxiv.1310.1902,
title = {Radiation and magnetic field effects on new semiconductor power devices for HL-LHC experiments},
author = {S. Fiore and C. Abbate and S. Baccaro and G. Busatto and M. Citterio and F. Iannuzzo and A. Lanza and S. Latorre and M. Lazzaroni and A. Sanseverino and F. Velardi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.1902},
year = {2017}
}