使用束控中子源进行硅光电倍增管辐射硬度测试
仪器与探测器
2010-08-31 v2 高能物理 - 实验
摘要
我们报告了在弗拉斯卡蒂中子发生器上对硅光电倍增管进行的辐射硬度测试，这些半导体光子探测器由硅衬底上的雪崩光电二极管方阵构成。来自不同制造商的多个样品被辐照，积分通量高达 1-MeV等效中子每平方厘米。在中子辐照期间记录了探测器性能，发现其性能在积分通量达到 1-MeV等效中子每平方厘米量级时已经开始逐渐恶化。
关键词
引用
@article{arxiv.1002.3480,
title = {Silicon Photo-Multiplier radiation hardness tests with a beam controlled neutron source},
author = {M. Angelone and M. Pillon and R. Faccini and D. Pinci and W. Baldini and R. Calabrese and G. Cibinetto and A. Cotta Ramusino and R. Malaguti and M. Pozzati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.3480},
year = {2010}
}
备注
7 pages, 6 figures, Submitted to Nucl. Inst. Meth. A