CdTe(100) 带中 -4.4 eV 带的起源
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们使用表面Green函数匹配法（SGFM）和描述CdTe体带结构良好的实验紧密耦合哈密顿量，计算了体态（无限系统）、(100)-体投影态以及(100)-表面投影态的Green函数。特别地，我们分析了根据Niles和H"ochst的结果以及Gawlik等人根据角度解析光子能谱（ARPES）获得的结果（分别为-4.4 eV和-4.6 eV）在价带顶处点上出现的B--4带。我们给出了该带的第一个理论描述。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9403062,
title = {On the Origin of the -4.4 eV Band in CdTe(100)"},
author = {D. Olguin and R. Baquero},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9403062},
year = {2009}
}
备注
17 pages, Rev-TEX, CIEA-Phys. 02/94