CdTe 中碲反位缺陷的第一性原理 DFT + GW 研究
材料科学
2016-10-10 v1 其他凝聚态物理
摘要
本文在 DFT\emph{GW} 框架下，研究了 CdTe 中碲反位缺陷 的形成能、电荷跃迁能级和准粒子缺陷态。我们发现 在价带顶上方 0.99 eV 处诱导了一个 (+2/0) 深能级，表现出负 U 效应。此外，计算得到的 激发态的零声子线与在发光和吸收实验中观察到的约 1.1 eV 能带高度吻合。我们的结果与以往的理论研究不同，这主要是由于标准 DFT 计算中众所周知的带隙误差以及预测的带边位置不正确所致。
引用
@article{arxiv.1607.06193,
title = {First-principles DFT + GW study of the Te antisite in CdTe},
author = {Mauricio A. Flores and Eduardo Menéndez-Proupin and Walter Orellana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.06193},
year = {2016}
}