Ge/Si 量子点周围形成的自限制沟槽的能量起源
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
在高的生长温度下，Si(001) 上 Ge 量子点边界处的失配应变通过在岛底部周围形成沟槽来释放。观察到沟槽深度饱和至取决于岛底部宽度的水平。利用有限元模拟，我们表明沟槽深度的自限制特性源于形成沟槽所获得的弹性弛豫能与产生沟槽所需的表面能代价之间的竞争。我们的模拟预测沟槽深度随岛半径线性增加，这与 Drucker 及其合作者的实验观察定量一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404592,
title = {On the energetic origin of self-limiting trenches formed around Ge/Si quantum dots},
author = {D. T. Tambe and V. B. Shenoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404592},
year = {2009}
}