应变Ge/Si(001)生长的紧束缚研究
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
在Si(001)上生长超过一个单层Ge的实验观察表明，在亚单层覆盖度下观察到的(2xN)重构之外存在一系列效应：N值随覆盖度减小；缺失二聚体空位直沟的形成；以及(MxN)“补丁”结构的形成。我们给出了紧束缚计算，研究了与这些效应相关的能量学和几何结构，并将我们早先对不同化学计量重构形成能的处理扩展到数层Ge的情况。结果为观察到的各种效应提供了解释，并与实验观察符合良好。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210315,
title = {Tight binding studies of strained Ge/Si(001) growth},
author = {K. Li and D. R. Bowler and M. J. Gillan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210315},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 4 figures, submitted to Surface Science