薄隧结中的电流诱导开关的纳米过程

J. Ventura; J. P. Araujo; J. B. Sousa; Y. Liu; Z. Zhang; P. P. Freitas

doi:10.1109/TNANO.2006.869658

薄隧结中的电流诱导开关的纳米过程

材料科学 2009-11-11 v1

作者: J. Ventura , J. P. Araujo , J. B. Sousa , Y. Liu , Z. Zhang , P. P. Freitas

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摘要

在磁性纳米结构中，通常使用磁场在两种电阻 (R) 状态之间进行切换。实现 R 开关的另一种技术上更有趣的替代方法是使用低强度电流。最近在薄磁性隧结中观察到电流诱导开关 (CIS)，并将其归因于原子向/离开绝缘层的电迁移。我们研究了薄 MnIr/CoFe/AlOₓ/CoFe 隧结的电流诱导开关、电阻和磁阻。室温下的 CIS 效应导致两种状态之间的 6.9% R 变化，归因于电极/绝缘层界面金属离子的纳米结构重排。开关至低 R 状态后，一些电迁移离子通过两种不同的能量通道返回其初始位置。估计了低 (高) 能垫为约 0.13 eV (约 0.85 eV)。离子电迁移随后通过两种与不同离子位点/缺陷类型相关的微观过程发生。在外部磁场下的测量显示，由于 MR (磁性) 和 CIS (结构) 效应的同步共轭，出现了额外的中间 R 状态。

关键词

电流诱导开关磁性隧结电迁移磁阻纳米结构重排

引用

@article{arxiv.cond-mat/0603208,
  title  = {Nanoscopic processes of Current Induced Switching in thin tunnel junctions},
  author = {J. Ventura and J. P. Araujo and J. B. Sousa and Y. Liu and Z. Zhang and P. P. Freitas},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603208},
  year   = {2009}
}

备注

6 pages, 4 figures

薄隧结中的电流诱导开关的纳米过程

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关键词

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