超高真空中电迁移期间纳米结点的反常电阻-电压依赖关系
介观与纳米尺度物理
2014-11-04 v1
摘要
在超高真空中,对经受受控循环电迁移的金属纳米接触的原位电阻R作为外加电压V的函数进行了研究。对于足够小的接触(即大电阻),观察到R(V)随V的增大而减小。这一效应初步归因于存在由薄真空势垒分隔的接触与欧姆纳米接触并联。简单的模型计算表明,热激活或隧穿均可能导致这种反常行为。我们用隧穿模型描述数据,该模型的关键参数(即隧穿距离)因焦耳热产生的热膨胀和/或外加电压产生的静电应变而发生变化。电迁移期间的氧气暴露会阻止负R(V)斜率的形成,同时增加不受控熔化的概率,而其他气体几乎没有影响。此外,在某些样品中观察到了场发射的迹象。
引用
@article{arxiv.1411.0105,
title = {Unusual resistance-voltage dependence of nanojunctions during electromigration in ultra-high vacuum},
author = {D. Stöffler and M. Marz and B. Kießig and T. Tomanic and R. Schäfer and H. v. Löhneysen and R. Hoffmann-Vogel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0105},
year = {2014}
}