稀土掺杂剂对界面磁各向异性的电压与温度依赖贡献
介观与纳米尺度物理
2020-08-26 v2
摘要
通过电压而非电流控制磁性材料与器件，有望实现节能纳米级器件。本文研究了由磁性金属与非磁性绝缘体（如 Co|(RE)|MgO）界面处稀土（RE）局域磁矩引起的磁各向异性的温度依赖电压调控。基于晶体场与外场的 Stevens 算符表示，我们发现室温下存在大的以四极子为主的内禀与场致界面各向异性。我们提出通过以稀土薄覆界面来改善过渡金属隧道结的功能特性。
引用
@article{arxiv.2004.00320,
title = {Voltage- and temperature-dependent rare-earth dopant contribution to the interfacial magnetic anisotropy},
author = {Alejandro O. Leon and Gerrit E. W. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.00320},
year = {2020}
}