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交换型零偏压异常对金纳米颗粒单电子隧穿的影响

介观与纳米尺度物理 2015-05-28 v1 强关联电子

摘要

利用低温扫描隧穿显微镜和扫描隧穿谱,我们测量了半径为 1.4 nm 的孤立金纳米颗粒的单电子隧穿。我们观察到在隧穿电导谱中零偏压附近存在一个宽度为 ΔV2e/C\Delta V \sim 2e/CCC 为金颗粒的电容)的能隙,随后在负偏压和正偏压下均出现一系列电压宽度为 ECe/CE_C \sim e/C 的分立单电子隧穿峰。通过考虑电子交换相互作用对金纳米颗粒单电子隧穿的影响,实验数据得到了很好的解释。零偏压附近的一个隧穿峰被交换型零偏压异常所抑制,从而导致了宽度为 ΔV2EC\Delta V \sim 2E_C 的能隙。

关键词

引用

@article{arxiv.1106.2777,
  title  = {Effect of Exchange-type Zero-bias Anomaly on Single Electron Tunnelling of Au Nanoparticles},
  author = {Rui Xu and Yi Sun and Hui Yan and Ji-Yong Yang and Lin He and Jia-Cai Nie and Yadong Li},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1106.2777},
  year   = {2015}
}

备注

4pages, 3 figures