清洁二维电子气中由平滑密度变化引起的零偏压隧穿异常
介观与纳米尺度物理
2008-11-26 v2 高能物理 - 理论
摘要
我们证明,在清洁的二维电子气中,局域电子浓度的平滑变化 即使在不存在散射体(因此没有弗里德尔振荡)的情况下,也会在隧穿态密度 中引起零偏压异常。该异常的能量宽度 随涨落的幅度 和特征空间尺度 按 标度,而相对幅度 按 标度。随着 的增加,平均的 随 振荡。我们证明,该异常的起源是气体平滑不均匀性导致的经典电子轨迹的微弱弯曲。这种弯曲抑制了来自涉及两个电子-空穴对的虚过程对电子自能的修正。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702252,
title = {Zero-bias tunneling anomaly in a clean 2D electron gas caused by smooth density variations},
author = {T. A. Sedrakyan and E. G. Mishchenko and M. E. Raikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702252},
year = {2008}
}
备注
4+ pages, 3 figures