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清洁二维电子气中由平滑密度变化引起的零偏压隧穿异常

介观与纳米尺度物理 2008-11-26 v2 高能物理 - 理论

摘要

我们证明,在清洁的二维电子气中,局域电子浓度的平滑变化 δn(r)\delta n({\bf r}) 即使在不存在散射体(因此没有弗里德尔振荡)的情况下,也会在隧穿态密度 ν(ω)\nu(\omega) 中引起零偏压异常。该异常的能量宽度 ω0\omega_0 随涨落的幅度 δn\delta n 和特征空间尺度 DD(δn/D)2/3(\delta n/D)^{2/3} 标度,而相对幅度 δν/ν\delta\nu/\nu(δn/D)(\delta n/D) 标度。随着 ω\omega 的增加,平均的 δν\delta\nuω\omega 振荡。我们证明,该异常的起源是气体平滑不均匀性导致的经典电子轨迹的微弱弯曲。这种弯曲抑制了来自涉及两个电子-空穴对的虚过程对电子自能的修正。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0702252,
  title  = {Zero-bias tunneling anomaly in a clean 2D electron gas caused by smooth density variations},
  author = {T. A. Sedrakyan and E. G. Mishchenko and M. E. Raikh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702252},
  year   = {2008}
}

备注

4+ pages, 3 figures