LaVO3与LaVO4界面处的纳米尺度电子重构
强关联电子
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
界面处的电子，为最小化其自由能，其分布与体相不同。这在涉及异价化合物的界面处可能非常显著。在这里，我们使用电子能量损失谱描绘了V 3d2 LaVO3和V 3d0 LaVO4之间的一个突变界面。尽管不存在具有V 3d1构型的LaVOx体相，但我们在LaVO3/LaVO4界面处发现了一个纳米宽的V 3d1区域，而不是V 3d0和V 3d2的混合物。二维3d1电子层是竞争基态之间界面处电子重构的典型例子。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701081,
title = {Nanometer scale electronic reconstruction at the interface between LaVO3 and LaVO4},
author = {L. Fitting Kourkoutis and Y. Hotta and T. Susaki and H. Y. Hwang and D. A. Muller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701081},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 5 figures