映射\ce{LaVO_3/SrVO_3}异质结构中金属/绝缘体界面处的电子重构

Haiyan Tan; Ricardo Egoavil; Armand Béché; Gerardo T Martinez; Sandra Van Aert; Jo Verbeeck; Gustaaf Van Tendeloo; Hélène Rotella; Philippe Boullay; Alain Pautrat; Wilfrid Prellier

doi:10.1103/PhysRevB.88.155123

映射\ce{LaVO_3/SrVO_3}异质结构中金属/绝缘体界面处的电子重构

材料科学 2013-10-23 v1

作者: Haiyan Tan , Ricardo Egoavil , Armand Béché , Gerardo T Martinez , Sandra Van Aert , Jo Verbeeck , Gustaaf Van Tendeloo , Hélène Rotella , Philippe Boullay , Alain Pautrat , Wilfrid Prellier

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摘要

结合亚埃分辨率扫描透射电子显微镜和单色化电子能量损失谱，研究了\ce{(LaVO_3)_6/(SrVO_3)_3}超晶格。以原子空间分辨率绘制了 V 的氧化态图，从而能够研究\ce{LaVO_3}/\ce{SrVO_3}界面处的电子重构。令人惊讶的是，在相邻的化学对称界面处发现了不对称的电荷分布。我们提出了局部结构模型并通过双通道计算进行了模拟，结果与我们的实验定性一致。我们证明，局部应变不对称性是界面电子不对称性的可能原因。界面处的电子重构延伸范围远超化学成分变化范围，从 0.5 到 1.2 nm 不等。该距离对应于此前在\ce{(LaVO_3)_m}/\ce{(SrVO_3)_n}金属/绝缘体界面和\ce{(LaAlO_3)_m}/\ce{(SrTiO_3)_n}绝缘体/绝缘体界面中发现的电荷转移长度。

关键词

电子重构金属/绝缘体界面 LaVO3/SrVO3 异质结构扫描透射电子显微镜电子能量损失谱电荷分布局部应变不对称性

引用

@article{arxiv.1310.0935,
  title  = {Mapping electronic reconstruction at the metal/insulator interfaces in \ce{LaVO_3/SrVO_3} heterostructures},
  author = {Haiyan Tan and Ricardo Egoavil and Armand Béché and Gerardo T Martinez and Sandra Van Aert and Jo Verbeeck and Gustaaf Van Tendeloo and Hélène Rotella and Philippe Boullay and Alain Pautrat and Wilfrid Prellier},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0935},
  year   = {2013}
}

备注

6 pages, 5 figures. Physical Review B, 2013

映射\ce{LaVO_3/SrVO_3}异质结构中金属/绝缘体界面处的电子重构

摘要

关键词

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备注

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