通过PMMA掩模一步工艺制备自旋转移力矩器件的纳米加工：GMR与单层器件
材料科学
2007-11-21 v1
摘要
我们提出了一种在一步光刻工艺中制备低比电阻磁性自旋力矩器件的方法。柱状器件的质量通过标准磁性双层器件得到验证。对于单层器件，我们发现了滞回开关以及在更高场下更复杂的动态激发模式。提出了一个简单的模型来解释电阻尖峰。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610277,
title = {Nanofabrication of spin-transfer torque devices by a PMMA mask one step process: GMR versus single layer devices},
author = {Anne Parge and Tore Niermann and Michael Seibt and Markus Münzenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610277},
year = {2007}
}
备注
22 pages, 6 figures, submitted to J. Appl. Phys