交换偏置自旋阀纳米柱中的自旋转移矩翻转与低场进动
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
利用三维聚焦离子束光刻工艺，我们制备了能在零外磁场下展现自旋转移矩翻转的纳米柱器件。在小的面内外加偏置场下，观察到微分电阻随电流变化出现依赖于磁场的峰值，这与非对称纳米柱器件中报道的现象相似。我们将此解释为低场自旋波激发的证据，在我们的案例中，这归因于与相对较薄的 CoFe 固定层耦合的 IrMn 交换偏置层增强了自旋散射不对称性。
引用
@article{arxiv.0802.1003,
title = {Spin-transfer switching and low-field precession in exchange-biased spin valve nano-pillars},
author = {M. C. Wu and A. Aziz and D. Morecroft and M. G. Blamire and M. C. Hickey and M. Ali and G. Burnell and B. J. Hickey},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.1003},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 4 figures. To appear in APL, April 2008