垂直磁化自旋阀纳米柱中自旋转移辅助的热激活开关分布
介观与纳米尺度物理
2014-04-29 v1
摘要
我们展示了室温下垂直磁化 Co/Ni 多层自旋阀纳米柱中自旋转移辅助磁化反转的开关场分布。作为电流的函数，对横截面为 50 nm x 300 nm 椭圆的自旋阀纳米柱的 Co/Ni 自由层进行了开关场测量。通过测量施加直流电流下的开关场分布，检验了假设热激活反转存在自旋电流依赖有效势垒的模型的有效性。我们表明，开关场分布显著偏离有效势垒模型预测的双指数形状，这种偏离始于低至零场临界电流一半的施加电流。对于低于此阈值的电流，从开关场分布中提取的势垒高度是电流的单调函数。然而，对于超过临界阈值的电流，热诱导开关模型失效。
引用
@article{arxiv.1312.1994,
title = {Spin-transfer assisted thermally activated switching distributions in perpendicularly magnetized spin valve nanopillars},
author = {D. B. Gopman and D. Bedau and S. Mangin and E. E. Fullerton and J. A. Katine and A. D. Kent},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.1994},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 6 figures. Under review at Physical Review B