自旋耦合晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
提出一种磁电薄膜晶体管，可显示负载阻和增益。其工作原理是通过控制电流调制自旋阀中的源漏电流，而该自旋耦合由第三个电极的磁化方向产生，后者由控制自旋阀产生的自旋耦合旋转。该器件可在室温下工作，但若要实现实用，需采用极化率接近1的铁磁材料。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304550,
title = {The spin-torque transistor},
author = {Gerrit E. W. Bauer and Arne Brataas and Yaroslav Tserkovnyak and Bart J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304550},
year = {2009}
}
备注
to be published in Applied Physics Letters