无对称性破缺的 Mott 绝缘体
强关联电子
2009-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了在一维和二维空间中 exhibiting Mott 绝缘基态的理论模型，这些模型在分数占据率下无需任何对称性破缺即可形成 Mott 绝缘体。这些模型的哈密顿量在配置空间中是非局域的，但在相空间中是局域的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309260,
title = {Mott Insulators Without Symmetry Breaking},
author = {Dung-Hai Lee and Jon Magne Leinaas},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309260},
year = {2009}
}