掺杂莫特绝缘体的母相：团簇DMFT研究
强关联电子
2008-08-19 v1
摘要
我们研究了半填充强耦合区域中受挫哈伯德模型的绝缘相。我们特别关注了所有可以在方形plaquette上用动力学平均场理论(DMFT)描述的对称性破缺不稳定性。我们识别了若干平均场解：两个破坏SU(2)对称性的奈尔态、一个二聚体相以及一个不破坏任何对称性的莫特绝缘体。在莫特绝缘体中，单重态到单重态的涨落显著软化，从而产生了低能的二聚化涨落和手性涨落。我们给出了不同DMFT态及其随受挫程度演化的简单图像。
引用
@article{arxiv.0808.2328,
title = {Parent Phases of Doped Mott Insulators: A Cluster DMFT Study},
author = {Jean-Christophe Domenge and Gabriel Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.2328},
year = {2008}
}
备注
Submitted to Phys. Rev. Lett