通孔阵列结构电迁移行为的建模与仿真
应用物理
2018-01-26 v1
摘要
本文建立用于计算通孔阵列结构中不均匀电流分布的解析模型与算法。我们提出应力时间平移公式与累积失效分布方程，以建模电迁移应力或损伤对通孔阵列结构的记忆效应。我们发展了一种基于任意通孔失效序列预测通孔阵列电迁移(EM)寿命的方法，并证明所提通孔阵列EM寿命分布趋势与实验结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1801.08281,
title = {Modeling and Simulation of Electromigration Behavior for Via Array Structure},
author = {Karthik Airani and Rohit Guttal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.08281},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 11 figures