考虑多种片上变异效应的芯片级电迁移可靠性评估
应用物理
2017-12-18 v1
摘要
本文简要介绍电迁移（EM）的物理基础，并给出若干经典 EM 相关理论。我们讨论了影响 EM 导线寿命的物理参数，并介绍了现有 EM 物理仿真器的一些背景。在我们的工作中，EM 物理仿真采用基于原子浓度平衡的模型。我们讨论了仿真设置与结果。我们提出了一种针对电源网格导线的变异感知电迁移（EM）分析工具。该工具考虑了由化学机械抛光（CMP）与边缘放置误差（EPE）引起的工艺变异。它使用一种具有关键区域提取与变异系数计算的紧凑模型。
引用
@article{arxiv.1712.05562,
title = {Chip-Level Electromigration Reliability Evaluation with Multiple On-Die Variation Effects},
author = {Karthik Airani and Rohit Guttal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.05562},
year = {2017}
}
备注
9 pages, 9 figures